К марту 2026 года гонка полупроводниковых мощностей достигла физических пределов кремниевой подложки. Samsung Electronics официально подтвердила график перехода на 1-нанометровую литографию к 2030 году. Этот этап, получивший неофициальное название «техпроцесс мечты», ознаменует отказ от классической структуры GAA (Gate-All-Around) в пользу Forksheet-транзисторов.
Основная проблема текущих 2-нм решений — паразитная емкость между n- и p-каналами. Архитектура forksheet решает это путем внедрения диэлектрической изолирующей стенки между транзисторами разной полярности. Это позволяет сократить расстояние между ними, увеличивая плотность компоновки без риска электрического пробоя.
Технические преимущества Forksheet (прогноз на 2030 год):
- Снижение площади кристалла: до 17% по сравнению с 2-нм GAA.
- Прирост производительности: +10% при идентичном энергопотреблении.
- Энергоэффективность: сокращение утечек тока на 24% благодаря физической изоляции каналов.
Содержание:
Статус 2-нанометрового производства в первом квартале 2026 года
Пока R&D-центры работают над 1-нм горизонтом, коммерческий департамент Samsung фокусируется на масштабировании 2-нанометровых узлов. По состоянию на конец марта 2026 года, выход годных кристаллов (yield rate) превысил 60%. Это критический порог, позволяющий начать массовое производство флагманских решений для мобильного и автомобильного секторов.
«Достижение 60% выхода годных на 2-нм узле к началу 2026 года — это стратегическая победа. Это позволяет нам не только обеспечить внутренние потребности для серии Galaxy S26, но и закрепить контракты с NVIDIA и Tesla», — из внутреннего отчета Samsung Foundry.
Линейка техпроцессов SF2: специализация и сроки
Samsung диверсифицировала 2-нм направление, чтобы удовлетворить разные сегменты рынка — от носимой электроники до суперкомпьютеров AI.
| Тип техпроцесса | Целевое устройство | Особенности | Начало масс-продукции |
| SF2P | Exynos 2600 / Смартфоны | Оптимизация под мобильные частоты | Q1 2026 |
| SF2P+ | Exynos 2800 (Vanguard) | Оптическое масштабирование (shrink) | 2027 |
| SF2T | Tesla AI6 | Повышенная термическая стойкость | Late 2027 |
| SF2A | Автомобильные SoC | Сертификация по AEC-Q100 | 2027 |
Контракт с Tesla: чип AI6 и завод в Тейлоре
Особое место в дорожной карте занимает техпроцесс SF2T (Tesla-optimized). В марте 2026 года стало известно, что массовое производство чипов Tesla AI6 для систем автономного вождения и роботов Optimus начнется в четвертом квартале 2027 года.
Производство будет развернуто на мощностях нового завода в Тейлоре, Техас. Сумма сделки оценивается в $16,5 млрд, что делает Tesla одним из крупнейших внешних заказчиков Samsung Foundry до 2033 года. Чип AI6 станет первым в индустрии автомобильным процессором, использующим архитектуру GAA на 2-нм узле, что необходимо для обработки нейросетевых данных в реальном времени с минимальной задержкой.
Вызовы на пути к 2030 году: литография и материалы
Несмотря на оптимизм, переход к 1-нм требует внедрения оборудования High-NA EUV (Extreme Ultraviolet) второго поколения.
- Фоторезисты: Требуются новые составы на основе металлоорганических соединений для предотвращения размытия рисунка при шаге менее 10 нм.
- Теплоотвод: Плотность транзисторов в архитектуре forksheet ведет к экстремальному локальному нагреву. Samsung планирует использовать интегрированные системы жидкостного охлаждения на уровне подложки для серверных решений.
- Backside Power Delivery (BSPDN): Перенос цепей питания на обратную сторону кристалла станет обязательным условием для 1-нм техпроцесса, чтобы избежать интерференции с сигнальными линиями.
Для инженеров и аналитиков, отслеживающих цепочки поставок на Wiredin.ru, стабилизация 2-нм техпроцесса в 2026 году является индикатором готовности рынка к новому поколению ИИ-ускорителей.
FAQ: Технологические подробности
Что такое архитектура Forksheet?
Это эволюция технологии Nanosheet (GAA). В ней между n-каналом и p-каналом устанавливается диэлектрическая стенка, напоминающая зубцы вилки (fork). Это позволяет размещать транзисторы ближе друг к другу, чем это возможно в стандартной GAA-архитектуре, где зазоры диктуются физическими ограничениями литографии.
Почему Samsung отложила 1.4-нм техпроцесс?
По данным на начало 2026 года, компания сместила фокус на глубокую оптимизацию 2-нм узла (SF2P+), чтобы гарантировать стабильность поставок и рентабельность. Форсирование 1.4-нм без отладки текущих линий могло привести к падению выхода годных ниже 30%, что экономически нецелесообразно.
Будет ли 1-нанометровая литография Samsung использовать кремний?
На этапе 1-нм (2030 год) рассматривается внедрение двумерных материалов (2D materials), таких как дисульфид молибдена (MoS2), для формирования каналов. Однако основным материалом останется модифицированный кремний-германий до подтверждения коммерческой жизнеспособности новых полупроводников.